為什么要去除光刻膠？

眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個(gè)晶圓制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。

在光刻環(huán)節(jié)里有個(gè)不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進(jìn)行完全清除。

光刻膠如何去除呢？

半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對(duì)于濕法去膠，等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠徹底且速度快，不需引入化學(xué)物質(zhì)，減少了對(duì)晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中最好的方式。

*圖源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察

ICP等離子去膠機(jī)

ICP等離子去膠機(jī)依托晟鼎多年的光刻去膠的經(jīng)驗(yàn)積累，采用高密度、低損傷等離子源設(shè)計(jì)，同時(shí)配備晟鼎成熟的遠(yuǎn)程ICP技術(shù)，達(dá)到高水平的去膠速率，并實(shí)現(xiàn)去膠損傷抑制；采用獨(dú)立腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)均勻的流場(chǎng)分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

● 兼容主流4-8寸圓形晶圓

● 單次可處理兩片晶圓，處理過程保持較低溫度

● 全自動(dòng)程度高，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)晶圓上下料、清洗流程

● 等離子密度高，去膠效果好

*設(shè)備除膠標(biāo)準(zhǔn)

RIE等離子去膠機(jī)

RIE PLASMA去膠機(jī)是適用于硅基材料的晶圓表面去膠的清洗設(shè)備，也可用于光刻膠去除，碳化硅刻蝕，硬掩膜層干法清除，刻蝕后表面清潔，氧化硅或氮化硅刻蝕，DESCUM，介質(zhì)與介質(zhì)間光阻去除等應(yīng)用領(lǐng)域，材料適用范圍：4-8寸。設(shè)備穩(wěn)定可靠、易于維護(hù)、產(chǎn)能高。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

● 高密度等離子體，各種工藝兼容性高

● 清洗均勻性高，設(shè)備易于維護(hù)

● 緊湊集成式設(shè)計(jì)、占地少