一、RPS遠(yuǎn)程等離子源工作原理

RPS遠(yuǎn)程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術(shù)的自成一體的原子發(fā)生器，它的功能是用于半導(dǎo)體設(shè)備工藝腔體原子級別的清潔，使用工藝氣體三氟化氮（NF3）/O2，在交變電場和磁場作用下，原材料氣體會被解離，從而釋放出自由基，活性離子進(jìn)入工藝室與工藝室上沉積的污染材料（SIO/SIN）或者殘余氣體（H2O、O2、H2、N2）等物質(zhì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，聚合為高活性氣態(tài)分子經(jīng)過真空泵組抽出處理腔室，提高處理腔室內(nèi)部潔凈度；

     利用原子的高活性強(qiáng)氧化特性，達(dá)到清洗CVD或其他腔室后生產(chǎn)工藝的目的，為了避免不必要的污染和工作人員的高強(qiáng)度和高風(fēng)險的濕式清洗工作，提高生產(chǎn)效率。

二、RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用原理

1.遠(yuǎn)程等離子的處理作用，是非常輕微的刻蝕，有一定的活性作用，主要與腔室內(nèi)部的殘余氣體發(fā)生作用。但是對腔室內(nèi)部的固體物質(zhì)，例如：腔室內(nèi)壁的金屬材料與腔室內(nèi)部的零配件，在工作時間較短（幾十分鐘）的情況下，一般只會發(fā)生淺表層的反應(yīng)，幾十納米至幾微米，因為腔室內(nèi)部的材質(zhì)一般是鋁合金、不銹鋼等，不容易被氧離子所刻蝕。

2.遠(yuǎn)程等離子工作時，用戶本身的鍍膜工藝是不工作的，所有沒有直接接觸到有機(jī)發(fā)光材料，就不會對有機(jī)發(fā)光材質(zhì)造成損傷。即使是直接接觸，其發(fā)生的輕微的表面作用，也不會造成損傷。

三、晟鼎RPS的九大優(yōu)勢

1. 主動網(wǎng)絡(luò)匹配技術(shù)：可對不同氣體進(jìn)行阻抗匹配，使得等離子腔室獲得最大能量；

2. 等離子濃度檢測：通過檢測解離腔體內(nèi)電流判斷等離子濃度，確保等離子體穩(wěn)定；

3. 腔體損耗監(jiān)測：每次點火會將然弧點的電壓，電流，頻率，脈寬等參數(shù)進(jìn)行存儲，實時檢測參數(shù)變動趨勢是否超出范圍；

4. 氣體解離率：NF3解離率高達(dá)95%以上，效果可與進(jìn)口RPS持平；

5. 自研PEO表面處理工藝：自研等離子體電解氧化物涂層( PEO)；

6. Plasma block：Plasma block 使用高純鋁生產(chǎn) 有自主生產(chǎn)工廠；

7. 高蝕率速率：環(huán)形Plasma block可允許電子以圓周運(yùn)動的方式行進(jìn)，并減少了電子與室壁或電極碰撞的機(jī)會，離子能量得以保留；

8. 高可靠點火方式：通過變頻+脈沖束的方式進(jìn)行點火；

9. 多種通訊方式：具備模擬通信PLC IO,數(shù)字通訊RS485,USB,EtherCAT。

四、應(yīng)用領(lǐng)域與典型案例

1.CVD腔室清潔

①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）

②清潔PECVD腔（使用F原子）

③清潔Low-k CVD腔（使用O原子、F原子）

④清潔WCVD腔（使用F原子）

2.表面處理、反應(yīng)性刻蝕和等離子體輔助沉積

①通過反應(yīng)替代（表面氧化）進(jìn)行表面改性

②輔助PECVD

③使用預(yù)活化氧氣和氮氣輔助低壓反應(yīng)性濺射沉積

④使用預(yù)活化氧氣和氮氣進(jìn)行反應(yīng)性蒸發(fā)沉積

⑤等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）